905nm多结多分区VCSEL

905nm多结多分区VCSEL

¥1.00

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Description

高功率905nm VCSEL多结多分区芯片
面向高功率密度、高效率设计
各区域可单独控制工作
适用于短脉冲(纳秒级)和高峰值功率应用
可根据客户需求定制各种阵列型产品

标准品规格,QCW测试条件下的典型值

激光波长 分区 芯片尺寸 每区发光孔 发光功率 PCE
905nm 12×1 1x1mm 23ape 30W
可根据需求, 定制各种阵列型产品

 

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